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File:Molecular beam epitaxy system.jpg

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原始檔案(3,200 × 2,427 像素,檔案大小:1.18 MB,MIME 類型:image/jpeg


摘要

描述

SANDIA RESEARCHER STANDS NEXT TO MOLECULAR BEAM EPITAXY SYSTEM.

WORKING THROUGH A COOPERATIVE RESEARCH AND DEVELOPMENT AGREEMENT (CRADA) WITH CIELO COMMUNICATIONS INC., SANDIA DEVELOPED THE GALLIUM ARSENIDE-BASED VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL). IT WILL BE CHEAPER AND EASIER TO BUILD THAN STANDARD EDGE EMITTING LASERS USED IN CURRENT HIGH-SPEED FIBER OPTICS COMMUNICATIONS. THE MOLECULAR BEAM EPITAXY SYSTEM SEEN IN THE IMAGE IS USED TO GROW THE CRYSTAL STRUCTURE OF THE VCSEL.

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日期
來源 396 073 001
作者 ENERGY.GOV

授權條款

Public domain 此圖像是美國能源部(或前身組織)的僱員於其公務中所作之作品。由於此作品由美國聯邦政府所作,其處於公有領域

請注意美國國家實驗室使用不同授權條款而其中部分為自由條款檢查實驗室的網站政策後才可使用此標籤。


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這幅圖片原始出處為Flickr的https://www.flickr.com/photos/37916456@N02/10315088993 ,作者為ENERGY.GOV 。經機器人FlickreviewR在2014年10月12日審查後確定為採用United States Government Work的協議授權使用。

2014年10月12日

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目前2014年10月12日 (日) 11:44於 2014年10月12日 (日) 11:44 版本的縮圖3,200 × 2,427(1.18 MB)BomaziTransferred from Flickr via Flickr2commons

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