肖特基勢壘

肖特基勢壘（英語：Schottky barrier），是指具有整流特性的金屬-半導體界面，就如同二極管具有整流特性。肖特基勢壘（障壁）相較於PN接面最大的區別在於具有較低的接面電壓，以及在金屬端具有相當薄的(幾乎不存在)耗盡層寬度。

並非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定於金屬的功函、固有半導體的能隙，以及半導體的摻雜類型及濃度。在設計半導體器件時需要對肖特基效應相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基勢壘。

肖特基勢壘命名自德國物理學家華特·蕭特基（Walter Hermann Schottky）。

優點[編輯]

順向偏壓：
受熱激發的電子能夠漫延到金屬層。

逆向偏壓：
電子欲從半導體進入受到阻礙。

由於肖特基勢壘具有較低的界面電壓，可被應用在某器件需要近似於一個理想二極體的地方。在電路設計中，它們也同時與一般的二極體及晶體管一起使用, 其主要的功能是利用其較低的接面電壓來保護電路上的其它器件。

然而，自始至終肖特基器件相較於其它半導體器件來說能被應用的領域並不廣。

肖特基勢壘自身作為器件即為肖特基二極管。

肖特基勢壘奈米碳管場效應晶體管FET：金屬和碳納米管之間的接觸並不理想所以層錯導致肖特基勢壘，所以我們可以使用這一勢壘來製作肖特基二極管或者晶體管等等。