梁式引線技術
梁式引線技術是一種製造半導體器件的方法。其最初的應用於高頻矽開關電晶體和高速集成電路。這項技術消除了當時積體電路常用的勞力密集引線鍵合製程。它還能夠將半導體晶片自動組裝到更大的基板上，從而促進混合集成電路生產。[1]
20世紀60年代初期，MP Lepselter[2][3]開發了一種製造技術，涉及在薄膜Ti-Pt-Au基底上電鑄一系列厚的自支撐金圖案，從而產生了「梁」一詞。這些圖案沉積在矽晶片的表面上。隨後去除樑下方多餘的半導體材料，使各個器件分離，並留下自支撐梁引線或懸臂超出半導體材料的內部晶片。這些觸點不僅充當電引線，還為設備提供結構支撐。
專利[編輯]
專利發明包括：
- 使用陰極濺鍍（等離子蝕刻/RIE）選擇性去除材料，美國專利#3,271,286；1966年發行
- PtSi半導體接點和肖特基二極管（PtSi Schottky Diodes），美國專利#3,274,670；1966年發行
- 包括梁式引線的半導體器件（梁式引線，Ti-Pt-Au 金屬系統），美國專利#3,426,252；1969年發行
- 製作緊密間隔導電層的方法（空氣絕緣交叉、空氣橋、射頻開關），美國專利#3,461,524；1969年發行
- 振動簧片裝置（MEMS），美國專利#3,609,593；1971年發行
影響[編輯]
該技術也稱為空氣橋技術，已在用於電信和導彈系統的高頻矽開關電晶體和超高速集成電路中佔有一席之地。梁式引線器件生產了數億件，成為商業微機電結構（MEMS）的第一個例子。[4]
- ^ Rao R. Tummala et al, Microelectronics Packaging Handbook: Semiconductor packaging, Springer, 1997 ISBN 0-412-08441-4, page 8-75
- ^ M.P. Lepselter, et al., "Beam-Lead Devices and Integrated Circuits", Proceedings of the IEEE, Vol. 53 No 4 (1965), p.405.
- ^ Presentation at Electron Devices Meeting, October 29, 1964, Washington, D.C.
- ^ Lepselter, M. P. Beam-Lead Technology. Bell System Technical Journal. 1966-02, 45 (2). ISSN 0005-8580. doi:10.1002/j.1538-7305.1966.tb00018.x.