鉅景科技

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沃福仕股份有限公司
WeForce.CO., LTD.
成立2002
代表人物賴淑楓
總部 臺灣台北縣中和市
产业IC設計
產品MCP/SiP
員工人數55人
實收資本額新台幣5.07億元（2011年11月）
网站http://www.weforce.com.tw

鉅景科技股份有限公司（ChipSiP），公司成立於2002年。是一間專精於提供SiP和MCP微型化解決方案之IC整合設計公司。2005年鉅景針對消費性電子輕薄短小的訴求，研發MCP系列產品，並於當年度上市銷售；2006年至2008年間，鉅景成功进入數位相機的MCP市場；2008年度MCP產品的銷售更達到12Mpcs。在全球的數位相機MCP市場上，已擁有10%的市場佔有率，是台灣致力於研發MCP和SiP的領導廠商。

2019年，鉅景科技股份有限公司更名為沃福仕股份有限公司，ChipSiP繼續保留為產品品牌，將繼續利用多年來累積深厚微型化系統的設計與整合經驗，為客戶提供多元的客製化需求元件，開拓多樣化的終端產品應用領域，滿足客戶需求為優先，不斷追求創新，堅持最佳品質。我們帶領精實敏捷的專業團隊，將持續與全球客戶、廠商維持穩定信任的合作夥伴關係，在設計整合的服務中努力精進，共同面對機會與挑戰，展現優質的產業競爭力，優化全球性市場的占有率。

產品列表[编辑]

鉅景多年發展SiP和MCP產品，擁有超過10年以上之RF、邏輯等元件設計與整合經驗，並建立龐大之晶圓資料庫與封裝資源整合能力，有效運用SiP技術為客戶提供標準與客製化產品服務。

MCP系列產品[编辑]

在2008年5月鉅景發表全球第一個的9X9mm封裝的快閃記憶體(Nand flash)加上動態存取記憶體(DDR/DDRII)的Memory MCP。為滿足客戶需要更多設計空間和彈性的要求，鉅景設計不同容量與規格的Memory MCP供客戶選擇，亦根據客戶需求設計客製化Memory MCP。

● 使用MCP的優點:

1. 節省整體物料成本

2. 簡化設計流程

DSC MCP Product[编辑]

CT47
NAND Flash+DDR SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT47568SR566 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT47128SR566 512Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47248NS566 1Gb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47568SR126 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT47248NS126 1Gb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Ready
CT47488NS126 2Gb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47568SR566A 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT47568SR126A 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT47128SR126A 512Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT48
NAND Flash+DDRII SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT48568SR126 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT48248NS126 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 Request
CT48488NS126 2Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT48568SR246 256Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 M/P
CT48128SR246 512Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 Request
CT48248NS246 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 M/P
CT48488NS246 2Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 Ready
CT48568SR126A 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 M/P
CT48128SR126A 512Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 M/P
CT48248NS126A 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 Request
CT48248NS246A 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 Ready
CT83
DDRII SDRAM Stack
Part Number Description DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT83962C 4Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 2009/7
CT83482D 2Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10.5x13.5x1.1 2009/9
CT83242D 1Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10.5x13.5x1.1 Request

Mobile Phone MCP Product[编辑]

M71
NOR Flash+pSDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M71NL03240BGW0P(K)0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+4Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 Ready
M71PL03280BGW0E0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+8Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL032A0BGW0E0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL064A0BGW0E0A 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM 3.3V x16 96ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL064B0BGW0E0A 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+32Mb pSRAM 3.3V x16 96ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8

Smart Phone MCP Product[编辑]

M5D
NAND Flash+M-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M5D568566B 256Mb NAND+256Mb M-SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 9x10.2x1.2 Request
M5D128566B 512Mb NAND+256Mb M-SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 9x10.2x1.2 Request
M5D1G8122B 1Gb NAND+512Mb M-SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 166MHz TFBGA 11x13x1.2 Ready
M5D1G6566A 1Gb NAND+256Mb M-SDRAM 1.8V x16 25ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 10.5x13x1.2 2009/Q3
M5E
NAND Flash+M-DDR SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M5E568562B 256Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E128566(2)B 512Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16/x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E1G8566(2)B 1Gb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16/x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E1G8126B 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Request
M5E1G8122B 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E1G81G2B 1Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E2G81G2B 2Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E4G81G2B 4Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Request
M5E1G6126A 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 1.8V x16 25ns 1.8V x16 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 2009/Q3

Modules MCP Product[编辑]

CT46
NOR Flash+DDR-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT46160BB566 16Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8/x16 70ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Ready
CT46320BB566 32Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8/x16 70ns 2.5V x16 DDR400 TFBGA 8x10x1.2 Request
CT72
NOR Flash+M-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT72326MT646 32Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM 1.8V x16 70ns 1.8V x16 133MHz TFBGA 8x10x1.2 Request
CT72646MT646 64Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM 1.8V x16 70ns 1.8V x16 133MHz TFBGA 8x10x1.2 Ready

SiP客製化[编辑]

System In Package(SiP)的優點[编辑]

1.體積微型化

2.高靈活性的系統設計

3.減少較長的設計週期及功能驗證時間

4.易於整合不同的晶元製程

5.可有效抑制電磁干擾

6.某些不易取得的智財，SiP可用其封裝好的積體電路實現其PoP或PiP的結構

SiP開發階段[编辑]

1. 工程樣品階段(三至六個月)

2. 量產階段(二至三個月)

應用領域[编辑]

鉅景專精發展SiP 技術，並運用此技術，鉅景研發一系列不同組合的多晶片封裝記憶體(Memory MCP)產品，適用於消費性電子產品如數位相機，數位攝影機，智慧型手機，多媒體手機以及衛星導航系統。並因應消費性電子商品體積越來越輕薄且需整合更多功能的趨勢下。鉅景持續發展先進memory MCP解決方案並創造SiP產業價值鍊。

公司大事紀[编辑]

  • 2019/07：更名為沃福仕股份有限公司
  • 2009/04：通過ISO14001:2004認證
  • 2008/12：鉅景科技於公開市場興櫃，股票代碼3637。
  • 2008/12：榮獲勤業眾信亞洲區Fast 500營收成長第十名。
  • 2008/08：通過ISO9001:2000認證。
  • 2008/07：獲得勤業眾信台灣高科技Fast 50 營收成長評比第二名。
  • 2008/04：發表CT48 (NAND + DDRII) 9x9mm全球最小尺寸DSC Memory MCP產品。
  • 2008/01：宣佈以M5D/M5E (NAND + M-SDRAM/ DDR) Memory MCP進軍高階手機應用市場。
  • 2007/12：成功進軍韓國市場，並獲得韓系數位相機領導大廠設計認可，並量產數位相機系列產品。
  • 2007/09：發表M71(NOR+pSRAM)MCP產品主攻多媒體手機應用。
  • 2007/07：開發CT72(M-NOR+SDRAM)MCP應用於通訊模組客戶端。
  • 2007/03：CT48 MCP(10x13mm)產品線，成功設計於美系數位相機品牌廠商。
  • 2007/01：研發CT46(NOR+DDR)MCP，並設計使用於數位相機鏡頭模組。
  • 2006/06：全球獨家發表CT48(NAND+DDRII)10x13mm Memory MCP系列產品。
  • 2006/05：日系品牌大廠使用CT47系列產品，並成功量產其數位相機。
  • 2005/09：開發DSC+PDA(CT162)平台。
  • 2005/07：研發首款CT47(NAND+DDR)Memory MCP產品推廣於數位相機市場。
  • 2004/12：提供IC設計客戶端SiP服務並研發ARM-SoC+SDRAM(CT961)。
  • 2004/06：協助系統業者開發Car Navigator相關設計應用。
  • 2003/12：發表Bus-Multimedia系統平台。
  • 2003/03：研發Car-Alarm相關系統設計。
  • 2003/03：開發 CT44 - 64M Bytes SDRAM module chip(4堆疊)予IPC廠商。
  • 2003/04：研發CT42 (NOR+SDRAM) Combo-Memory主推數位相機客戶。
  • 2002/02：發表CT41(NOR+SRAM) Combo-Memory。
  • 2002/08：鉅景成立。

參考資料[编辑]

^ http://www.weforce.com.tw （页面存档备份，存于互联网档案馆）

^ 黃繼寬，〈SiP理念日趨普及 鉅景代客戶操刀差異設計〉，《新通訊元件雜誌》2009年6月20日

^ 〈引領台灣SiP產業進入下一個獲利時代〉，《天下雜誌-成長400 7月號 》2008年7月

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