钜景科技

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沃福仕股份有限公司
WeForce.CO., LTD.
成立2002
代表人物赖淑枫
总部 台湾台北县中和市
产业IC设计
产品MCP/SiP
员工人数55人
实收资本额新台币5.07亿元（2011年11月）
网站http://www.weforce.com.tw

钜景科技股份有限公司（ChipSiP），公司成立于2002年。是一间专精于提供SiP和MCP微型化解决方案之IC整合设计公司。2005年钜景针对消费性电子轻薄短小的诉求，研发MCP系列产品，并于当年度上市销售；2006年至2008年间，钜景成功进入数码相机的MCP市场；2008年度MCP产品的销售更达到12Mpcs。在全球的数码相机MCP市场上，已拥有10%的市场占有率，是台湾致力于研发MCP和SiP的领导厂商。

2019年，钜景科技股份有限公司更名为沃福仕股份有限公司，ChipSiP继续保留为产品品牌，将继续利用多年来累积深厚微型化系统的设计与整合经验，为客户提供多元的客制化需求元件，开拓多样化的终端产品应用领域，满足客户需求为优先，不断追求创新，坚持最佳品质。我们带领精实敏捷的专业团队，将持续与全球客户、厂商维持稳定信任的合作伙伴关系，在设计整合的服务中努力精进，共同面对机会与挑战，展现优质的产业竞争力，优化全球性市场的占有率。

产品列表[编辑]

钜景多年发展SiP和MCP产品，拥有超过10年以上之RF、逻辑等元件设计与整合经验，并建立庞大之晶圆数据库与封装资源整合能力，有效运用SiP技术为客户提供标准与客制化产品服务。

MCP系列产品[编辑]

在2008年5月钜景发表全球第一个的9X9mm封装的快闪存储器(Nand flash)加上动态存取内存(DDR/DDRII)的Memory MCP。为满足客户需要更多设计空间和弹性的要求，钜景设计不同容量与规格的Memory MCP供客户选择，亦根据客户需求设计客制化Memory MCP。

● 使用MCP的优点:

1. 节省整体物料成本

2. 简化设计流程

DSC MCP Product[编辑]

CT47
NAND Flash+DDR SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT47568SR566 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT47128SR566 512Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47248NS566 1Gb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47568SR126 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT47248NS126 1Gb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Ready
CT47488NS126 2Gb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Request
CT47568SR566A 256Mb NAND+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT47568SR126A 256Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT47128SR126A 512Mb NAND+512Mb DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 9x9x1.2 Request
CT48
NAND Flash+DDRII SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT48568SR126 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT48248NS126 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 Request
CT48488NS126 2Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 M/P
CT48568SR246 256Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 M/P
CT48128SR246 512Mb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 Request
CT48248NS246 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 M/P
CT48488NS246 2Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 10x13x1.2 Ready
CT48568SR126A 256Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 M/P
CT48128SR126A 512Mb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 M/P
CT48248NS126A 1Gb NAND+512Mb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 Request
CT48248NS246A 1Gb NAND+1Gb DDRII SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDRII667 TFBGA 9x9x1.2 Ready
CT83
DDRII SDRAM Stack
Part Number Description DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT83962C 4Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10x13x1.4 2009/7
CT83482D 2Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10.5x13.5x1.1 2009/9
CT83242D 1Gb DDRII 1.8V x32 DDRII667 FBGA 10.5x13.5x1.1 Request

Mobile Phone MCP Product[编辑]

M71
NOR Flash+pSDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M71NL03240BGW0P(K)0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+4Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 Ready
M71PL03280BGW0E0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+8Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL032A0BGW0E0 32Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM 3.3V x16 70ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL064A0BGW0E0A 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+16Mb pSRAM 3.3V x16 96ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8
M71PL064B0BGW0E0A 64Mb NOR(Top/Bottom Boot)+32Mb pSRAM 3.3V x16 96ns 3.3V x16 70ns TFBGA 7x9x1.2 2009/8

Smart Phone MCP Product[编辑]

M5D
NAND Flash+M-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M5D568566B 256Mb NAND+256Mb M-SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 9x10.2x1.2 Request
M5D128566B 512Mb NAND+256Mb M-SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 9x10.2x1.2 Request
M5D1G8122B 1Gb NAND+512Mb M-SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 166MHz TFBGA 11x13x1.2 Ready
M5D1G6566A 1Gb NAND+256Mb M-SDRAM 1.8V x16 25ns 1.8V x16 166MHz TFBGA 10.5x13x1.2 2009/Q3
M5E
NAND Flash+M-DDR SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
M5E568562B 256Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 50ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E128566(2)B 512Mb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 30ns 1.8V x16/x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E1G8566(2)B 1Gb NAND+256Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16/x32 DDR333 TFBGA 11x13x1.2 Request
M5E1G8126B 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x16 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Request
M5E1G8122B 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E1G81G2B 1Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E2G81G2B 2Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Ready
M5E4G81G2B 4Gb NAND+1Gb M-DDR SDRAM 3.3V x8 25ns 1.8V x32 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 Request
M5E1G6126A 1Gb NAND+512Mb M-DDR SDRAM 1.8V x16 25ns 1.8V x16 DDR333 TFBGA 10.5x13x1.2 2009/Q3

Modules MCP Product[编辑]

CT46
NOR Flash+DDR-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT46160BB566 16Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8/x16 70ns 2.5V x16 DDR400 FBGA 10x13x1.4 Ready
CT46320BB566 32Mb NOR(Bottom Boot)+256Mb DDR SDRAM 3.3V x8/x16 70ns 2.5V x16 DDR400 TFBGA 8x10x1.2 Request
CT72
NOR Flash+M-SDRAM
Part Number Description Flash Voltage Flash Width Flash Speed DRAM/RAM Voltage DRAM/RAM Width DRAM/RAM Speed Package Outline Available
CT72326MT646 32Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM 1.8V x16 70ns 1.8V x16 133MHz TFBGA 8x10x1.2 Request
CT72646MT646 64Mb NOR(Multi?Bank,Top Boot)+64Mb M-SDRAM 1.8V x16 70ns 1.8V x16 133MHz TFBGA 8x10x1.2 Ready

SiP客制化[编辑]

System In Package(SiP)的优点[编辑]

1.体积微型化

2.高灵活性的系统设计

3.减少较长的设计周期及功能验证时间

4.易于整合不同的芯片制程

5.可有效抑制电磁干扰

6.某些不易取得的智财，SiP可用其封装好的集成电路实现其PoP或PiP的结构

SiP开发阶段[编辑]

1. 工程样品阶段(三至六个月)

2. 量产阶段(二至三个月)

应用领域[编辑]

钜景专精发展SiP 技术，并运用此技术，钜景研发一系列不同组合的多芯片封装内存(Memory MCP)产品，适用于消费性电子产品如数码相机，数位摄影机，智能手机，多媒体手机以及卫星导航系统。并因应消费性电子商品体积越来越轻薄且需整合更多功能的趋势下。钜景持续发展先进memory MCP解决方案并创造SiP产业价值炼。

公司大事纪[编辑]

  • 2019/07：更名为沃福仕股份有限公司
  • 2009/04：通过ISO14001:2004认证
  • 2008/12：钜景科技于公开市场兴柜，股票代码3637。
  • 2008/12：荣获勤业众信亚洲区Fast 500营收成长第十名。
  • 2008/08：通过ISO9001:2000认证。
  • 2008/07：获得勤业众信台湾高科技Fast 50 营收成长评比第二名。
  • 2008/04：发表CT48 (NAND + DDRII) 9x9mm全球最小尺寸DSC Memory MCP产品。
  • 2008/01：宣布以M5D/M5E (NAND + M-SDRAM/ DDR) Memory MCP进军高阶手机应用市场。
  • 2007/12：成功进军韩国市场，并获得韩系数码相机领导大厂设计认可，并量产数码相机系列产品。
  • 2007/09：发表M71(NOR+pSRAM)MCP产品主攻多媒体手机应用。
  • 2007/07：开发CT72(M-NOR+SDRAM)MCP应用于通讯模组客户端。
  • 2007/03：CT48 MCP(10x13mm)产品线，成功设计于美系数码相机品牌厂商。
  • 2007/01：研发CT46(NOR+DDR)MCP，并设计使用于数码相机镜头模组。
  • 2006/06：全球独家发表CT48(NAND+DDRII)10x13mm Memory MCP系列产品。
  • 2006/05：日系品牌大厂使用CT47系列产品，并成功量产其数码相机。
  • 2005/09：开发DSC+PDA(CT162)平台。
  • 2005/07：研发首款CT47(NAND+DDR)Memory MCP产品推广于数码相机市场。
  • 2004/12：提供IC设计客户端SiP服务并研发ARM-SoC+SDRAM(CT961)。
  • 2004/06：协助系统业者开发Car Navigator相关设计应用。
  • 2003/12：发表Bus-Multimedia系统平台。
  • 2003/03：研发Car-Alarm相关系统设计。
  • 2003/03：开发 CT44 - 64M Bytes SDRAM module chip(4堆叠)予IPC厂商。
  • 2003/04：研发CT42 (NOR+SDRAM) Combo-Memory主推数码相机客户。
  • 2002/02：发表CT41(NOR+SRAM) Combo-Memory。
  • 2002/08：钜景成立。

参考资料[编辑]

^ http://www.weforce.com.tw （页面存档备份，存于互联网档案馆）

^ 黄继宽，〈SiP理念日趋普及 钜景代客户操刀差异设计〉，《新通讯元件杂志》2009年6月20日

^ 〈引领台湾SiP产业进入下一个获利时代〉，《天下杂志-成长400 7月号 》2008年7月

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